（原标题：三星HBM 4完成缠绵qvod成人动漫，吹响反攻军号）

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三星电子已证实将通过 4NANO（纳米，十亿分之一米）代工半导体制造工艺试产“逻辑芯片”，该芯片是第六代高带宽存储器 (HBM4) 的大脑。在完成逻辑芯片的最终性能考证后，三星电子决策将诞生的 HBM4 委用给客户进行测试。三星电子在 HBM 市集跨越地位被 SK 海力士夺走后，正在为 HBM4 部署先进工艺，以在本年发起反攻。

据业内东说念主士3日走漏，三星电子内存业务部门近日完成了HBM4逻辑芯片的缠绵，并将缠绵交给4纳米代工线运行分娩。逻辑芯片是位于HBM最底层的重要部件，由DRAM堆叠而成，是按捺多层DRAM的大脑。

三星电子将 HBM3E（第五代 HBM）市集拱手让给了 SK 海力士等竞争敌手，决策通过应用先进工艺最大按捺地擢升 HBM4 的性能。从 HBM4 运行，与仅无间 DRAM 并将其无间到客户图形解决单位 (GPU) 的现存 HBM3E 不同，在 HBM 底部已毕的逻辑芯片将专揽代工工艺。针对缠绵钞票 (IP) 和客户条目的应用优化的定制 HBM 分娩也将成为可能。据报说念，莫得我方的代工智商的 SK 海力士正在使用台积电的 5纳米工艺分娩逻辑芯片。

据称，三星电子正在经受更先进的 4纳米工艺，不仅能擢升 HBM 的性能，还能擢升其能效。一位业内东说念主士暗示，“发烧量难以按捺，被称为 HBM 的最大敌东说念主”，并补充说念，“逻辑芯片是发烧量最严重的地点，据我了解，三星电子正在大范围应用 4纳米工艺来擢升举座性能和能效。”

熟练三星电子情况的音问东说念主士指出，“咱们确乎不再具备像曩昔那样在内存业务上与竞争敌手拉开赫然差距的上风”，并补充说念，“由于咱们我方领有代工工艺，咱们对快速制造逻辑芯片以中意客户的定制需求抓乐不雅作风。”

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据报说念，除了逻辑芯片外，三星电子还决策将第六代 (c) 10纳米DRAM 芯片用于堆叠在 HBM 中的通用 DRAM。SK Hynix 正在应用第五代 (b) 10纳米DRAM。经常，跟着 DRAM 工艺的发展，会应用先进的工艺，以减小尺寸，同期擢升性能和功率恶果。

据称，三星电子决策经受一种名为夹杂键合的新模式来堆叠 16 层 HBM4 居品。夹杂键合是一种通过铜堆叠芯片的工艺，无需使用传统上无间芯片的“凸块”，从而不错削弱尺寸并擢升性能。三星电子经受了“先进的热压缩非导电粘合膜 (TC-NCF) 时代”，该时代波及每次堆叠芯一刹摈弃薄膜状材料，最多可堆叠 12 层 HBM 居品。

一位业内东说念主士暗示，“三星电子现在正在快速鼓励代工工艺”，并补充说念，“由于前几代居品落伍于竞争敌手，咱们正在加速HBM4的程度，以快速反应客户的样品测试和转换条目。”

https://biz.chosun.com/en/en-it/2025/01/03/DCSZUIIA3VBCTIM2LTQDZ245TI/

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